发明名称 半导体集成电路器件的制造方法
摘要 一种用于制造半导体集成电路器件的方法,其中能够实时探测不合规范的缺陷晶片。异常探测服务器(5)将从用于处理半导体晶片的半导体制造设备输出的设备日志数据存储在设备日志数据存储部分(10)中。之后,当批结束信号接收部分(12)接收到从半导体制造设备输出的批结束信号时,异常数据探测部分(15)参考存储在第一探测条件存储部分(13)中的异常探测条件设定文件(13a),并且然后基于所参考的内容,判断在设备日志数据存储部分(10)中存储的设备日志数据中是否存在异常数据。在探测到任何异常时,异常数据探测部分(15)将探测结果输出到技术人员PC或操作者终端设备。
申请公布号 CN1879195A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200480033020.3 申请日期 2004.10.26
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 所附一之;中岛理博;宫本佳幸;深山吉生
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种半导体集成电路器件的制造方法,包括:(a)在设备日志数据存储器中存储设备日志数据,所述设备日志数据是从处理半导体晶片的半导体制造设备输出的数据并且表示所述半导体制造设备的状态;(b)在异常数据探测器处探测在所述设备日志数据存储器中存储的所述设备日志数据中是否有异常数据;以及(c)将在所述异常数据探测器处探测的结果输出到结果输出部分。
地址 日本东京都