| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过进行蚀刻工艺在衬底上形成多个栅线；通过采用原子层沉积(ALD)方法在栅线和衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层上依次形成缓冲氧化物层和氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1877815A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200510135168.4 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 南基元;李京远 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：通过进行蚀刻工艺在衬底上形成多个栅线；通过采用原子层沉积(ALD)方法在栅线和衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层上依次形成缓冲氧化物层和氮化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||