发明名称 液晶显示器件及其制造方法
摘要 在液晶显示器件的制造步骤中通过使用一个光掩模,需要许多步骤,例如抗蚀剂涂覆、预烘焙、曝光、显影和后烘焙,以及在上述步骤之前和之后的覆盖膜的形成、刻蚀、抗蚀剂剥离、冲洗、干燥等,这使得工艺变得复杂。为了解决该问题,采用沟道刻蚀型底部栅极TFT结构(反向交错TFT)以便通过相同的掩模图形化源极区域和漏极区域以及像素电极。而且,按照本发明,在制造液晶显示器件所需的图形中,例如用于形成布线层或电极的导电层、用于形成预定图形的掩模等,通过能够选择地形成图形的方法来形成它们中的至少一个或多个,由此制造液晶显示器件。
申请公布号 CN1879055A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200480033485.9 申请日期 2004.11.05
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 前川慎志;山崎舜平;桑原秀明;守屋芳隆
分类号 G02F1/1368(2006.01);H01L21/288(2006.01) 主分类号 G02F1/1368(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 张浩
主权项 1.一种液晶显示器件,包括:形成在绝缘表面上的栅极电极;形成在所述栅极电极上并与之夹有绝缘膜的半导体膜;形成在所述半导体膜上的源极区域和漏极区域;被形成为用于覆盖形成在所述源极区域上的源极电极和形成在所述漏极区域上的漏极电极的至少部分端部的阻挡膜,以及所述源极电极和漏极电极;和被形成为用于覆盖所述漏极电极和阻挡膜的像素电极,其中所述源极区域的端表面的至少一部分近似相当于所述半导体膜的端表面和所述源极电极的端表面;以及其中所述漏极区域的端表面的至少一部分近似相当于所述半导体膜的端表面和所述漏极电极的端表面。
地址 日本神奈川