| 发明名称 | 用于嵌入NROM的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于使非易失性存储器嵌入有逻辑电路的方法，而不改变逻辑电路和NVM元件的性能(和/或不改变逻辑电路和NVM元件的制造步骤的顺序)。该嵌入工艺包括以维持CMOS性能的方式将NVM器件和阵列工艺步骤插入到现有逻辑CMOS工艺中，由此使得能使用现有电路库。因此NVM可以与高速低压CMOS结合，而不存在任何性能或可靠性的损失。 | ||
| 申请公布号 | CN1877812A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610089846.2 | 申请日期 | 2006.05.24 |
| 申请人 | 赛芬半导体有限公司 | 发明人 | 利安·布洛姆 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种用于将NROM(氮化物只读存储器)工艺步骤和HVCMOS器件嵌入到高速逻辑CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺步骤中的方法，该方法包括：形成用于逻辑CMOS和用于NROM以及高压CMOS元件的隔离区；形成所述NROM和所述高压(HV)CMOS元件的高热驱动工艺元件；和形成所述逻辑CMOS元件的中热驱动工艺元件；并且形成用于所述逻辑CMOS和用于所述NROM以及所述高压CMOS元件的低热驱动工艺元件。 | ||
| 地址 | 以色列内坦亚 | ||