| 主权项 |
1.一种固态成像装置之制造方法,其系使用了叠层基板,该叠层基板系层叠有矽基板、中间层及矽层者,该方法至少包含以下步骤:于该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域;将第一支撑基板贴合至该矽层上;移除该叠层基板之该矽基板及该中间层;其后于该矽层上方形成于绝缘层中具有布线层的布线部分;将第二支撑基板贴合至该布线部分上;及移除该第一支撑基板以暴露出该矽层。2.如请求项1之固态成像装置之制造方法,其中移除该叠层基板之该矽基板及该中间层之步骤系藉由背部研磨方法、CMP(化学机械研磨)方法及/或湿式蚀刻方法所进行。3.如请求项1之固态成像装置之制造方法,其中在将第一支撑基板贴合至该矽层上之步骤前,具有以下步骤:于该叠层基板之该矽层形成光感应器部分之半导体区域(25);及于该光感应器部分之贴合第一支撑基板之侧形成与该光感应器部分之半导体区域不同导电型之区域(19)。4.如请求项1之固态成像装置之制造方法,其中于暴露出该矽层之后面侧之步骤后,于该矽层之后表面侧上形成抗反射涂层、彩色滤光器及晶片上透镜中之至少任一者。5.一种固态成像装置之制造方法,其系使用了叠层基板,该叠层基板系层叠有矽基板、中间层及矽层者,该方法至少包含以下步骤:于该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域;于该矽层上形成于绝缘层中具有布线层的布线部分;其后将支撑基板贴合至该布线部分上;及移除该矽基板及该中间层以暴露出该矽层。6.如请求项5之固态成像装置之制造方法,其中移除该矽基板及该中间层以暴露出该矽层之步骤系藉由背部研磨方法、CMP(化学机械研磨)方法及/或湿式蚀刻方法所进行。7.如请求项5之固态成像装置之制造方法,其中在该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域(25)之步骤系具有以下步骤:于该光感应器部分之暴露出该矽层之侧形成与该光感应器部分之半导体区域不同导电型之区域(19)。8.如请求项5之固态成像装置之制造方法,其中于暴露出该矽层之后面侧之步骤后,于该矽层之后表面侧上形成抗反射涂层、彩色滤光器及晶片上透镜中之至少任一者。9.一种固态成像装置,其系藉由在层叠有矽基板、中间层及矽层之叠层基板之该矽层上贴合第一支撑基板之步骤后之以下步骤所制造者:于该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域;移除该叠层基板之该矽基板及该中间层;其后于该矽层上形成于绝缘层中具有布线层的布线部分;将第二支撑基板贴合至该布线部分上;及移除该第一支撑基板以暴露出该矽层。10.如请求项9之固态成像装置,其中于该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域(25)之步骤系具有以下步骤:于该光感应器部分之贴合第一支撑基板之侧形成与该光感应器部分之半导体区域不同导电型之区域(19)。11.一种固态成像装置,其系藉由以下步骤所制造者:在层叠有矽基板、中间层及矽层之叠层基板之该矽层形成光感应器部分之半导体区域;于该矽层上方形成于绝缘层中具有布线层的布线部分;其后将支撑基板贴合至该布线部分上;及移除该矽基板及该中间层以暴露出该矽层。12.如请求项11之固态成家装置,其中于该叠层基板之该矽层中形成光感应器部分之半导体区域(25)之步骤系具有以下步骤:于该光感应器部分之暴露出该矽层之侧形成与该光感应器部分之半导体区域不同导电型之区域(19)。图式简单说明:图1为一背部照明式CMOS影像感应器之一示意性及垂直剖视图;图2为根据本发明之一实施例之一固态成像装置的一示意性构造图(展示一垂直剖面);图3为图2之固态成像装置之相关部分的一垂直剖视图;图4为一特性曲线,其展示了矽层之厚度与量子效率对光感应器部分中入射光之波长的依赖性之间的关系;图5为一特性曲线,其展示了矽层之厚度与量子效率对该光感应器部分中入射光之波长的依赖性之间的关系;图6为一展示一红外射线截止滤波器之光谱特性的图;图7为一SOI基板之一垂直剖视图;图8A至8C为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一实施例;图9A至9C为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一实施例;图10A至10B为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一实施例;图11A至11B为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一实施例;图12A至12C为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一另一实施例;及图13A至13C为制造制程图,其展示了制造根据本发明之一固态成像装置的方法之一另一实施例。 |
