| 主权项 |
1.一种晶圆缺陷侦测方法,包括下列步骤:于一晶圆上洒上复数个定置粒子;对上述晶圆执行一扫描检测操作,以取得该晶圆上之复数个缺陷的位置资讯,其中每一位置资讯存在有一误差値;对该等定位粒子进行扫描检测,以得到该等定位粒子的位置资讯;根据每一定位粒子的位置资讯计算并取得与其对应之每一缺陷的偏移位置资讯;以及根据计算所得之偏移位置资讯修正每一缺陷的误差値。2.如申请专利范围第1项所述的晶圆缺陷侦测方法,其中,该等定位粒子为PSL粒子。3.如申请专利范围第1项所述的晶圆缺陷侦测方法,其中,每一缺陷尺寸小于100nm。4.一种晶圆缺陷侦测方法,包括下列步骤:于一晶圆上洒上复数个定位粒子;对上述晶圆执行一扫描检测操作,以取得该晶圆上之复数个缺陷的误差位置资讯,其中每一误差位置资讯存在有一误差値;对该等定位粒子进行扫描检测,以得到该等定位粒子的位置资讯;根据每一定位粒子的位置资讯计算并取得与其对应之每一缺陷之误差缺陷位置与实际缺陷位置的偏移位置资讯;以及根据该等误差缺陷位置与实际缺陷位置的偏移位置资讯修正每一缺陷的误差値。5.如申请专利范围第4项所述的晶圆缺陷侦测方法,其中,该等定位粒子为PSL粒子。6.如申请专利范围第4项所述的晶圆缺陷侦测方法,其中,每一缺陷尺寸小于100nm。7.一种晶圆缺陷侦测系统,包括:一粒子喷洒单元,用以于一晶圆上洒上复数个定位粒子;一缺陷侦测单元,用以对上述晶圆执行一扫描检测操作,以取得该晶圆上之复数个缺陷的位置资讯,其中每一位置资讯存在有一误差値;一粒子侦测单元,用以对该等定位粒子进行扫描检测,以得到该等定位粒子的位置资讯;以及一缺陷重侦测单元,用以根据每一定位粒子的位置资讯计算并取得与其对应之每一缺陷的偏移位置资讯,并且根据计算所得之偏移位置资讯修正每一缺陷的误差値。8.如申请专利范围第7项所述的晶圆缺陷侦测系统,其中,该等定位粒子为PSL粒子。9.如申请专利范围第7项所述的晶圆缺陷侦测系统,其中,每一缺陷尺寸小于100nm。图式简单说明:第1图系显示传统缺陷侦测方法的步骤流程图。第2图系显示本发明实施例之晶圆缺陷侦测方法的步骤流程图。第3图系显示本发明实施例之晶圆缺陷侦测系统的架构示意图。第4图系显示本发明实施例之晶圆缺陷侦测的范例示意图。 |
