| 主权项 |
1.一种积体电路晶片封装结构,包括: 一基底; 一晶片,置于该基底上; 一散热片,置于该晶片上;以及 一虚晶片,置于该散热片及该晶片之间。 2.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片黏附于该散热片。 3.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片以一胶黏剂黏附于该散热片。 4.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该晶片、该散热片以及该虚晶片大抵由 一封胶体包覆。 5.如申请专利范围第4项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该晶片及该虚晶片之热膨胀系数大抵与 该封胶体之热膨胀系数相等。 6.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片为金属。 7.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片为矽。 8.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片为一热传导性材料。 9.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片之热膨胀系数大约与该晶片之 热膨胀系数相等。 10.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片之材料、形状及厚度系调整至 与该晶片之热膨胀系数相匹配。 11.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片之材料、形状及厚度系调整至 与该散热片之热膨胀系数相匹配。 12.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片封装 结构,其中该虚晶片之材料、形状及厚度系调整至 与该散热片及该晶片之热膨胀系数相匹配。 13.一种积体电路晶片封装结构之制造方法,包括下 列步骤: 将一晶片附着在一基底上; 将一散热片置于在该晶片上;以及 将一虚晶片置于该散热片及该晶片之间。 14.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片黏附于在该散热 片。 15.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该晶片、该散热片以及该 虚晶片大抵由一封胶体包覆,以及该晶片及该虚晶 片之热膨胀系数大抵与该封胶体之热膨胀系数相 等。 16.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片为金属。 17.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片为矽。 18.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片为一热传导性材 料。 19.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片之热膨胀系数大 约与该晶片之热膨胀系数相等。 20.如申请专利范围第13项所述之积体电路晶片封 装结构之制造方法,其中该虚晶片之材料、形状及 厚度系调整至与该散热片及该晶片之热膨胀系数 相匹配。 图式简单说明: 第1图显示传统球格阵列封装结构之半成品截面图 第2图为本发明球格阵列封装结构之半成品截面图 |
