Speicher und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Bei einem in einem Halbleitersubstrat als integrierte Schaltung ausgebildeten Speicher mit Speicherkondensatoren und Schalttransistoren, wobei die Speicherkondensatoren im Halbleitersubstrat jeweils in einem Graben ausgebildet sind und eine äußere Elektrodenschicht, die um den Graben herum ausgebildet ist, eine dielektrische Zwischenschicht, die auf der Grabenwandung ausgeführt ist, und eine innere Elektrodenschicht, mit der der Graben im Wesentlichen aufgefüllt ist, aufweisen, und wobei die Schalttransistoren im Halbleitersubstrat jeweils in einem Oberflächenbereich ausgebildet sind und einen ersten Source/Drain-Dotierbeeich, einen zweiten Source/Drain-Dotierbereich und einen dazwischen liegenden Kanal aufweisen, der durch eine Isolationsschicht von einer Gate-Elektrode getrennt ist, beinhaltet die dielektrische Zwischenschicht der Speicherkondensatoren ein High-k-Dielektrikum, das bei hohen Temperaturen, insbesondere bei Temperaturen von über 800 DEG C, instabil ist, wobei die dielektrische Zwischenschicht der Speicherkondensatoren von der Oberfläche des Halbleitersubstrats wenigstens um einen Betrag beabstandet ausgeführt ist, der der Tiefe entspricht, bis in die sich der erste Source/Drain-Dotierbereich und der zweite Source/Drain-Dotierbereich der Schalttransistoren im Halbleitersubstrat erstrecken.