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Es wird ein nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement bereitgestellt, das einen Speicherbereich und einen Schaltungsbereich umfasst, wobei der Speicherbereich mehrere Speicherzellen und eine Menge von Arrayreferenzzellen umfasst, die programmiert werden können, so dass sie eine Schwellenspannung entsprechend einem gelöschten oder einem programmierten Zustand einer Speicherzelle aufweisen. In dem Schaltungsbereich sind zusätzliche Hauptreferenzzellen vorgesehen, die so konfiguriert sind, dass sie ebenfalls eine Schwellenspannung entsprechend einem gelöschten oder programmierten Zustand einer Speicherzelle aufweisen. Die Hauptreferenzzellen werden zum Setzen der Arrayreferenzzellen verwendet, und die Arrayreferenzzellen sind als Referenz zum Lesen oder Schreiben eines Zustands der Speicherzellen vorgesehen. DOLLAR A Ein Verfahren wird außerdem bereitgestellt für das Setzen von Arrayreferenzzellen in einem nichtflüchtigen Halbleiterspeicherbauelement auf eine vorbestimmte Schwellenspannung.
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