发明名称 Halbleiterbauelement und Datenabtaststeuerverfahren
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer Schnittstelle von einem offenen Draintyp oder einem pseudooffenen Draintyp, und auf ein Verfahren zum Steuern einer zugehörigen Datenabtastung. DOLLAR A Ein Halbleiterbauelement umfasst erfindungsgemäß eine Datenabtastsignal(DQS)-Steuerschaltung (630), die dafür eingerichtet ist, ein Datenabtastsignal in Reaktion auf ein Taktsignal, ein erstes DQS-Steuersignal und ein zweites DQS-Steuersignal durch sequentielles Ändern eines Zustandes eines als nächstes auf einen Nachspannbereich des Datenabtastsignals folgenden Bereichs von einem ersten logischen Zustand des Nachspannbereichs auf einen zweiten logischen Zustand und nach einer ersten vorbestimmten Zeitspanne vom zweiten logischen Zustand auf einen hohen Impedanzzustand zu steuern, und eine Ausgabeeinheit (670), die dafür eingerichtet ist, das Datenabtastsignal auszugeben. DOLLAR A Verwendung z. B. für Halbleiterspeicherbauelemente vom DDR3-Typ.
申请公布号 DE102006012896(A1) 申请公布日期 2006.12.07
申请号 DE200610012896 申请日期 2006.03.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 KIM, JOUNG-YEAL;PARK, KWANG-IL;KIM, SUNG-HOON
分类号 G11C11/4076;G11C7/22 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人
主权项
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