| 发明名称 | 电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1873987A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610089977.0 | 申请日期 | 2006.05.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金敬锡;邢庸宇;朴栽永;李铉德;任基彬;李昱烈;李高银;金永镇;南硕祐 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/94(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种电容器，包括：半导体衬底上的下电极；下电极上的介质层；以及介质层上的上电极，该上电极具有包括多晶半导体族IV材料的多层结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||