发明名称 三步法低能耗工业化生产层状二硅酸钠的方法及装置
摘要 本发明是一种三步法低能耗工业化生产层状二硅酸钠的方法及装置,在高温烧结结晶法及装置基础上的改进,其方法是将模数适宜的泡花碱溶液喷雾干燥(4)制取速溶粉后不直接进行高温结晶(7),而是先进行脱水和物性调整(5),制取脱水粉,再进行高温结晶(7)制取层状二硅酸钠;其装置是在由溶解装置、除渣装置、调模及浓缩装置、喷雾干燥装置、结晶助剂添加装置、高温结晶装置和破碎筛选装置等组成的原装置基础上,增加脱水装置和余热利用装置。因此具有生产过程容易控制,易于大规模生产,产品的性能得到较大改善,装置简单、热效率高、成本低等特点,为在我国推广层状二硅酸钠代替含磷助洗剂创造了条件。
申请公布号 CN1288081C 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN200410023819.6 申请日期 2004.03.22
申请人 泰安市新星粉体热工研究所 发明人 辛鸣;徐磊
分类号 C01B33/32(2006.01);C11D3/08(2006.01) 主分类号 C01B33/32(2006.01)
代理机构 泰安市泰昌专利事务所 代理人 姚德昌
主权项 1.一种三步法低能耗工业化生产层状二硅酸钠的方法,包含步骤1:溶解、步骤2:除渣、步骤3:调模及浓缩、步骤4:喷雾干燥、步骤7:高温结晶、步骤8:粉碎;其特征是还包含步骤5:脱水及物性调整和步骤9:余热利用;具体过程为:将经过溶解、除渣、调模及浓缩后得到的泡花碱溶液喷雾干燥;制成速溶粉,再向速溶粉中通入热风,进行脱水和物性调整,脱水温度为150℃~350℃,制得含水量为2.0~7.5%的脱水粉,添加结晶助剂到脱水粉中,然后进行高温结晶,或不添加结晶助剂直接进行高温结晶,结晶温度为700℃~800℃,制取层状二硅酸钠;将结晶窑(31)尾排出的高温废气送入步骤4:喷雾干燥和步骤5:脱水及物性调整作为热源加以利用。
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