| 发明名称 | 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器，包括：列阵芯片和读出电路，其特征在于：在列阵芯片和读出电路之间有一可吸收可见光的黑聚酰亚胺夹层。并同时公开了该探测器的制备方法，主要是黑聚酰亚胺夹层的制备方法。由于夹层采用黑聚酰亚胺层，当入射信号从探测器的背面入射时，夹层吸收可见光，以此来提高读出电路的工作性能。并且夹层不但可屏蔽可见光对硅读出电路的影响，还可以起到对读出电路、氮化镓基芯片和铟柱的钝化作用，因此，提高了紫外焦平面器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1288760C | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN02145468.X | 申请日期 | 2002.11.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 王平;朱龙源;刘诗嘉;李向阳;龚海梅 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);G01J1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 1.一种无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器，包括：列阵芯片(1)和读出电路(2)，其特征在于：在列阵芯片和读出电路之间有一可吸收可见光的4-7微米厚的黑聚酰亚胺层(3)。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||