半导体装置

摘要

提供一种可以一边抑制栅极的耗尽化，一边降低电子移动性的退化的半导体元件。该半导体装置的第一栅极以及第二栅极的至少一方包含有：金属含有层，形成为部分地覆盖对应的第一栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜；半导体层，形成于金属含有层上，且接触于对应的第一栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜的未被金属含有层覆盖的部分。又，第一栅极以及第二栅极包含有相互不同的金属。

主权项

1.一种半导体装置，包括：以夹着第一沟道区域的方式隔开规定的间隔地形成于半导体区域的主表面上的一对第一导电型的第一源极/漏极区域；经由第一栅极绝缘膜形成于所述第一沟道区域上的第一栅极；以夹着第二沟道区域的方式隔开规定的间隔地形成于前述半导体区域的主表面上的一对第二导电型的第二源极/漏极区域；以及经由第二栅极绝缘膜形成于所述第二沟道区域上的第二栅极，所述第一栅极以及所述第二栅极的至少一方包含有：金属含有层，形成为部分地覆盖对应的所述第一栅极绝缘膜以及所述第二栅极绝缘膜；半导体层，形成于所述金属含有层上，且接触于对应的所述第一栅极绝缘膜以及所述第二栅极绝缘膜的未被所述金属含有层覆盖的部分，所述第一栅极以及所述第二栅极包含有相互不同的金属。