| 发明名称 | 平面显示器的储存电容构造及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种平面显示器的储存电容构造及其制造方法，其中该储存电容构造包含：一基板；一下电极，形成于该基板的上方，该下电极的材质为经掺杂的异质半导体；一绝缘层，形成于该下电极的表面上；以及一上电极，形成于该绝缘层的表面上，该上电极的材质是经掺杂的异质半导体。该储存电容构造制造方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；于该下电极的表面上形成一绝缘层；于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极的材质为半导体；通过该上电极而对该下电极进行一第一掺质植入动作，以改善该下电极的导电能力；以及对该上电极进行一第二掺质植入动作，以改善该上电极的导电能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1873916A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610092371.2 | 申请日期 | 2002.07.29 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 石安 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/02(2006.01);G02F1/133(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1、一种平面显示器的储存电容构造制造方法，其包含下列步骤：提供一基板；于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；于该下电极的表面上形成一绝缘层；于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极的材质为半导体；通过该上电极而对该下电极进行一第一掺质植入动作，以改善该下电极的导电能力；以及对该上电极进行一第二掺质植入动作，以改善该上电极的导电能力。 | ||
| 地址 | 中国台湾苗栗县 | ||