| 发明名称 | 具有提升的非本征基极的双极晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成与互补金氧半(CMOS)电路集成的、具有基极(190)、射极(350)和埋入集极(105)上方的提升非本征基极(310)。提供一种具有CMOS和双极区的中间半导体结构。在双极区内提供本征基极层。跨越CMOS区与双极区形成基极氧化物，并在CMOS区与双极区上沉积牺牲射极叠层硅层。施加光致抗蚀剂来保护双极区，蚀刻该结构，仅从CMOS区去除牺牲层，使双极区上牺牲层的顶面基本与CMOS区的顶面齐平。最后，跨越CMOS区与双极区沉积具有基本平坦顶面的研磨停止层，适于后续用于提升非本征基极的化学机械研磨(CMP)。 | ||
| 申请公布号 | CN1288745C | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN02811855.3 | 申请日期 | 2002.06.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·C·阿尔格伦;格雷戈里·G·弗里曼;黄丰毅;亚当·T·蒂克诺 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L27/06(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于形成与CMOS电路集成的、具有提升非本征基极、射极和集极的双极晶体管的方法，该方法包括步骤：(a)提供中间半导体结构，具有双极区和带栅极导体的CMOS区；(b)在双极区内提供具有厚度的本征基极层；(c)跨越CMOS区与双极区形成基极氧化物；(d)在CMOS区与双极区上沉积具有厚度的射极叠层硅层；(e)施加光致抗蚀剂来保护双极区；(f)仅从CMOS区蚀刻去除射极叠层硅层，使双极区上的射极叠层硅层的顶面基本与CMOS区的顶面齐平；以及(g)跨越CMOS区与双极区沉积具有基本平坦顶面的研磨停止层，适于后续的化学机械研磨。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||