高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种改良的高压工艺，用以改善高压元件在击穿电压上的效能，同时维持浅沟绝缘结构的完整性。本发明的主要特征在于进行高浓度离子注入之前，高压元件区域内的厚氧化层不需进行回蚀刻，也因此可以多节省一片光掩模的费用。

主权项

1.一种制作高压金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包括：提供一半导体基底，包括一高压元件区域，其中该半导体基底上形成有浅沟绝缘结构，其将该高压元件区域再区隔成第一区域以及第二区域；于该高压元件区域的该半导体基底中离子注入一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域，且该第一掺杂区域与第二掺杂区域之间为一通道区域；于该半导体基底上形成一牺牲氧化层；于该牺牲氧化层上沉积一氮化硅盖层；于该氮化硅盖层以及该牺牲氧化层中形成一开口，该开口仅暴露出包括该通道区域的部分该第一区域，但覆盖住该第二区域；于该开口所暴露的该半导体基底上成长一第一氧化层；去除该氮化硅盖层以及该牺牲氧化层；于该高压元件区域的该第一区域以及该第二区域上成长一第二氧化层；于该第一氧化层上形成一栅极；以及利用该栅极与该第一氧化层作为离子注入屏蔽进行离子注入工艺，于该第一区域内的该第一掺杂区域中形成第三掺杂区域，同时于该第二区域内的该第二掺杂区域中形成第四掺杂区域。