发明名称 Elektromagnetisk bandgapstruktur for a undertrykke elektromagnetisk kopling i mikrostripe og inversbrikke pa kretskortapplikasjoner
摘要 <p>En hybridsammenstilling som har forbedrede krysstaleegenskaper innbefatter et elektromagnetisk båndgapslag (EBG) (612) på et substrat (101) som har en øvre overflate (111) og en nedre overflate, og en halvlederstruktur (MMIC) (602) anbrakt over EBG laget. Et flertall av stjerner (400, 402) laget av et EBG materiale er fortrinnsvis trykt eller påført, på den øvre overflate (11l). EBG materialet har trege bølgekarakteristikker. Flertallet av stjerner er lagt i mosaikk på den øvre overflaten mellom ledende veier. Hver av stjernene har en midtdel (408) dannet fra et regulært polygon, der midtdelen har fremspring utgående fra midtdelen. Fremspringene og midtdelen danner en omkrets. Omkretsen kobler til tilliggende stjerner langs omkretsen. Stjerner er atskilt fra tilliggende stjerner med et mellomrom. Hver av stjernene er koblet til en ledende gjennomføring (604, 606), som igjen er koblet til jordpotensial. Et ledende lag (307) på jordpotensial er elektrisk kontinuerlig med gjennomføringer (694, 606) benyttet til å sammenkoble alle stjernene som danner EBG lageret.</p>
申请公布号 NO20064578(A) 申请公布日期 2006.12.04
申请号 NO20060004578 申请日期 2006.10.09
申请人 RAYTHEON CO 发明人 TONOMURA SAMUEL D
分类号 H01P1/16;H01L23/498;H01L23/50;H01L23/552;H01L23/66;H01Q15/00;H05K1/02 主分类号 H01P1/16
代理机构 代理人
主权项
地址