发明名称 化合物半导体切换电路装置
摘要 在开关MMIC中,在源极电极以及汲极电极近接配置的位置,会发生高频信号之漏泄、扭曲特性不良的问题。本发明系将闸极配线电极做成梯子状的图案。此外,在开关MMIC(单晶片微波积体电路,Monolithic microwaveintegrated circuit)之所有源极电极–汲极电极之间,配置闸极配线电极。另外,在闸极配线电极、与源极电极或汲极电极的交叉部中,系于三者间配置介电常数大的氮化膜、介电常数小的聚醯亚胺、或中空部。藉此可降低在交叉部的电容,并降低2次高谐波位准。此外,由于可防止汲极电极–源极电极间的高频信号的漏泄,故可降低3次高谐波位准,并大幅提升开关MMIC的扭曲特性。
申请公布号 TW200642268 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW095110029 申请日期 2006.03.23
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 浅野哲郎;原干人;日下佑一;石原秀俊
分类号 H03K17/687(2006.01) 主分类号 H03K17/687(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本