发明名称 晶片结构及其形成方法
摘要 一种晶片结构,包括:一晶片、一凸块下金属层及一导电凸块。凸块下金属层系形成于晶片上。导电凸块形成于凸块下金属层上,导电凸块包括:第一表面及第二表面。第一表面连接凸块下金属层。第二表面用以连接一接点。其中,第二表面之表面积系小于第一表面之表面积。
申请公布号 TW200642047 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW094115830 申请日期 2005.05.16
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王盟仁;刘千
分类号 H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L23/28(2006.01)
代理机构 代理人 林素华
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号