| 摘要 |
记忆体装置可包括形成在基板(105)中之源极区域(305)及汲极区域(310)以及形成在基板(105)中且介于源极(305)与汲极(310)间之通道区域(315)。记忆体装置可复包括形成在通道区域(315)上之第一氧化物层(110)，该第一氧化物层(110)具有第一介电常数；以及形成在第一氧化物层(110)上之电荷储存层(115)。记忆体装置可复包括形成在电荷储存层(115)上之第二氧化物层(120)；形成在第二氧化物层(120)上之介电材料层(125)，该介电材料具有第二介电常数且该第二介电常数大于第一介电常数；以及形成在介电材料层(125)上之闸极电极(130)。 |
