| 主权项 |
1.一种形成金属氧氮氧半导体(MONOS, metal oxidenitride oxide semiconductor)装置之方法,该方法包括下列步骤:于基材(30)上形成电荷捕捉介电层(32);依照位元线图案蚀刻出贯穿该电荷捕捉介电层(32)之凹部(44);以及在该凹部(44)中形成金属矽化物位元线(48)。2.如申请专利范围第1项之形成金属氧氮氧半导体装置之方法,其中,该形成金属矽化物位元线(48)之步骤包括:于该凹部(44)中沉积耐火金属层(46);以及于该凹部(44)之内进行雷射热退火以在该凹部(44)中形成金属矽化物位元线(48)。3.如申请专利范围第2项之形成金属氧氮氧半导体装置之方法,复包括植入掺杂物于该基材(30)中,以在该金属矽化物位元线(48)之下形成源极/汲极区(52)。4.如申请专利范围第3项之形成金属氧氮氧半导体装置之方法,复包括于该凹部中该金属矽化物位元线之上形成在氧化物层(54)。5.如申请专利范围第2项之形成金属氧氮氧半导体装置之方法,其中,该雷射热退火之步骤包括施加具有在约50mJ/cm2至约1.3J/cm2之间的能量密度之雷射能量。6.如申请专利范围第1项之形成金属氧氮氧半导体装置之方法,其中,该电荷捕捉介电层(32)为氧氮氧层。7.一种金属氧氮氧半导体(MONOS, metal oxide nitrideoxide semiconductor) ,包括:基材(30);在该基材(30)上之电荷捕捉介电层(32);在该电荷捕捉介电层(32)中之凹部(44);以及在该凹部中(44)之金属矽化物位元线(48)。8.如申请专利范围第7项之金属氧氮氧半导体,其中,该金属矽化物位元线(48)为埋设位元线。9.如申请专利范围第8项之金属氧氮氧半导体,复包括在该凹部中之金属矽化物位元线上之氧化物以及在该电荷捕捉介电层与氧化物之上的字元线。10.如申请专利范围第9项之金属氧氮氧半导体,复包括在该金属矽化物位元线下之源极/汲极区。11.如申请专利范围第10项之金属氧氮氧半导体,其中,该金属矽化物位元线包括雷射热退火之金属矽化物。12.如申请专利范围第11项之金属氧氮氧半导体,其中,该电荷捕捉介电层为氧氮氧(ONO, oxide-nitride-oxide)层。13.如申请专利范围第12项之金属氧氮氧半导体,其中,该凹部延伸至该基材中且该金属矽化物位元线系于该凹部中。图式简单说明:第1图为显示先前技术之金属氧氮氧半导体记忆体单元之示意图。第2图为在基材上形成氧氮氧层后之金属氧氮氧半导体装置之部份横断面图。第3图显示根据本发明之实施例在氧氮氧层上形成位元线光罩后的第2图之结构。第4图说明根据本发明之实施例将凹部蚀刻通过该氧氮氧层并进入该基材中之后的第3图之结构。第5图显示沉积耐火金属层后的第4图之结构。第6图说明于根据本发明之实施例进行退火处理以形成金属矽化物后并于其后将未反应之金属从结构中移除的第5图之结构。第7图显示根据本发明之实施例遮盖并植入源极/汲极区后的第6图之结构。第8图说明根据本发明之实施例在金属矽化物位元线之上形成位元线氧化物后的第7图之结构。第9图说明根据本发明之实施例已将多晶矽字元线沉积于该氧氮氧层以及该位元线氧化物之上后的第8图之结构。第10图说明根据本发明之实施例将低电阻矽化物形成于多晶矽字元线上后的第9图之结构。第11图显示本发明之另一实施例。 |
