| 主权项 |
1.一种加固焊垫结构,其包括:一基板;一金属层其形成于该基板之上;一介电层其位于该金属层之上,至少一通孔抵达该金属层以及该介电层的至少一部分包括复数个非平面介电结构;一金属焊接层其保形地形成于该介电层的非平面结构上,使得该等非平面介电结构实质上再生于金属焊接层而成为非平面金属结构,该金属焊接层进一步形成于该通孔中,以便与该金属层接触;以及一介电材料圈其在每个该等非平面金属结构周围。2.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中该金属层为铜。3.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中该金属焊接层包括铝。4.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中该等非平面金属结构包括柱状或条纹状。5.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中该等非平面介电结构具有垂直侧。6.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中在该金属层与该金属焊接层之间有一阻障层。7.如申请专利范围第1项之加固焊垫结构,其中该介电材料圈包括氮化矽或氧化矽。8.一种形成内部加固焊垫之方法,该方法的步骤包括:于一基板上形成一金属层;于该金属层上形成一第一介电层;图案化该第一介电层的一第一部分,以便形成至少一抵达该金属层的通孔以及复数个非平面介电结构,该第一介电层的一第二部分未图案化;将一金属焊接层保形地沈积于该等非平面介电结构并进入该通孔,使得该等非平面介电结构系实质上再生于该金属焊接层中而成为非平面金属结构;于该等非平面金属结构以及该第一介电层之未图案化部分上,形成一第二介电层;以及实质上移除该等非平面金属结构上的所有该第二介电层,除了每个该等非平面金属结构周围的一介电材料圈。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该等非平面金属结构包括柱子状或条纹状。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该等非平面介电结构包括垂直侧。11.如申请专利范围第8项之方法,其中在该金属层与该金属焊接层之间有一阻障层。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该介电材料圈包括氮化矽或氧化矽。图式简单说明:图1系一说明一具有内部加固焊垫的半导体装置之断面图。图2至图5说明一用来形成如图1所示的该半导体装置的较佳制程。图6系该内部加固焊垫的一俯视图。图7系一说明一受侦测内部加固焊垫的放大部分断面图。 |
