| 摘要 |
提供数种用于温度补偿记忆感测电路中之薄膜二极体电压位准的系统与方法。本发明包含温度敏感偏压电路(408)与具有温度变量选择装置(430)的阵列核心(500)。该阵列核心(500)可由与奈米级电阻记忆体格(400)串联的薄膜二极体(430)组成。该温度敏感偏压电路(600)可包含与两个电阻器(610、620)串联的薄膜二极体(630)且提供温度补偿偏压(640)至该阵列核心。该温度敏感偏压电路(600)的薄膜二极体(630)系追踪该阵列核心(500)的二极体(430)，而该等两个电阻器(610、620)产生电阻比以模仿在该阵列核心(500)之温度及／或处理变化的效应。补偿偏压参考电压(640)系藉由该温度敏感偏压电路(600)而产生、藉由差动放大器(450)而复制、上用来使该奈米级电阻记忆体格(440)的操作电压位准保持恒定。 |
