| 主权项 |
1.一种介电质陶瓷组成物之制造方法,系具有 含组成式{(Ca1-xMex)O}m.(Zr1-yTiy)O2所示,该组成式中表 元素名称之记号Me系Sr、Mg及Ba之至少其一,该组成 式中表组成莫耳比之记号m、x及y具0.8≦m≦1.3,0≦x ≦1.00,0≦y≦1.00之关系的介电质氧化物之主要成 分, 含V氧化物之第1副成分, 含Al氧化物之第2副成分, 含Mn氧化物之第3副成分,以及 以SiO2为主要成分,含选自MO(其中M系选自Ba、Ca、Sr 及Mg之至少1种元素)、Li2O及B2O3的至少1种氧化物之 第4副成分, 相对于主要成分100莫耳各副成分之比率系, 第1副成分:0莫耳<第1副成分<7莫耳(系将V氧化物换 算成V2O5之値), 第2副成分:0莫耳<第2副成分<15莫耳(系将Al氧化物 换算成Al2O3之値), 第3副成分:0莫耳<第3副成分<5莫耳(系将Mn氧化物换 算成Mn元素之値), 第4副成分:0莫耳<第4副成分<20莫耳(系换算成氧化 物之値), 的介电质陶瓷组成物之制造方法,其特征为具有 将至少第3副成分原料及第4副成分原料的其一或 二者除外其它副成分原料的至少一部份,与为得主 要成分原料而准备之起始原料混合,准备反应前原 料之步骤, 使准备之反应前原料反应得反应完原料之步骤,以 及 于所得之反应完原料混合准备反应前原料之际除 外的副成分原料,得介电质陶瓷组成物原料之步骤 。 2.一种介电质陶瓷组成物之制造方法,系具有 含组成式{(Ca1-xMex)O}m.(Zr1-yTiy)O2所示,该组成式中表 元素名称之记号Me系Sr、Mg及Ba之至少其一,该组成 式中表组成莫耳比之记号m、x及y具0.8≦m≦1.3,0≦x ≦1.00≦,0≦y≦1.00之关系的介电质氧化物之主要 成分, 含V氧化物之第1副成分, 含Al氧化物之第2副成分, 含Mn氧化物之第3副成分,以及 以SiO2为主要成分,含选自MO(其中M系选自Ba、Ca、Sr 及Mg之至少1种元素)、Li2O及B2O3的至少1种氧化物之 第4副成分, 相对于主要成分100莫耳各副成分之比率系, 第1副成分:0莫耳<第1副成分<7莫耳(系将V氧化物换 算成V2O5之値), 第2副成分:0莫耳<第2副成分<15莫耳(系将Al氧化物 换算成Al2O3之値), 第3副成分:0莫耳<第3副成分<5莫耳(系将Mn氧化物换 算成Mn元素之値), 第4副成分:0莫耳<第4副成分<20莫耳(系换算成氧化 物之値), 的介电质陶瓷组成物之制造方法,其特征为具有 将至少第3副成分原料及第4副成分原料除外其它 副成分原料的至少一部份,与为得主要成分原料而 准备之起始原料混合,准备反应前原料之步骤, 使准备之反应前原料反应得反应完原料之步骤,以 及 于所得之反应完原料混合准备反应前原料之际除 外的副成分原料,得介电质陶瓷组成物原料之步骤 。 3.一种介电质陶瓷组成物之制造方法,系具有 含组成式{(Ca1-xMex)O}m.(Zr1-yTiy)O2所示,该组成式中表 元素名称之记号Me系Sr、Mg及Ba之至少其一,该组成 式中表组成莫耳比之记号m、x及y具0.8≦m≦1.3,0≦x ≦1.00,0≦y≦1.00之关系的介电质氧化物之主要成 分, 含V氧化物之第1副成分, 含Al氧化物之第2副成分, 含Mn氧化物之第3副成分,以及 以SiO2为主要成分,含选自MO(其中M系选自Ba、Ca、Sr 及Mg之至少1种元素)、Li2O及B2O3的至少1种氧化物之 第4副成分, 相对于主要成分100莫耳各副成分之比率系, 第1副成分:0莫耳<第1副成分<7莫耳(系将V氧化物换 算成V2O5之値), 第2副成分:0莫耳<第2副成分<15莫耳(系将Al氧化物 换算成Al2O3之値), 第3副成分:0莫耳<第3副成分<5莫耳(系将Mn氧化物换 算成Mn元素之値), 第4副成分:0莫耳<第4副成分<20莫耳(系换算成氧化 物之値), 的介电质陶瓷组成物之制造方法,其特征为具有 将各第1-4副成分原料除外,混合为得主要成分之原 料而准备之起始原料,准备反应前原料之步骤, 使准备之反应前原料反应得反应完原料之步骤,以 及 于所得之反应完原料混合各第1-4副成分原料,得介 电质陶瓷组成物原料之步骤。 4.如申请专利范围第1项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中第4副成分含组成式{(Baz,Ca1-z)O} vSiO2所示,该组成式中表组成莫耳比之记号z及v具0 ≦z≦1及0.5≦v≦4.0的关系之复合氧化物。 5.如申请专利范围第2项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中第4副成分含组成式{(Baz,Ca1-z)O} vSiO2所示,该组成式中表组成莫耳比之记号z及v具0 ≦z≦1及0.5≦v≦4.0的关系之复合氧化物。 6.如申请专利范围第3项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中第4副成分含组成式{(Baz,Ca1-z)O} vSiO2所示,该组成式中表组成莫耳比之记号z及v具0 ≦z≦1及0.5≦v≦4.0的关系之复合氧化物。 7.如申请专利范围第1项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中使反应前原料反应之方法系用固 相法。 8.如申请专利范围第2项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中使反应前原料反应之方法系用固 相法。 9.如申请专利范围第3项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中使反应前原料反应之方法系用固 相法。 10.如申请专利范围第1项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中具有将所得介电质陶瓷组成物原 料于1000-1400℃烧之步骤。 11.如申请专利范围第2项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中具有将所得介电质陶瓷组成物原 料于1000-1400℃烧之步骤。 12.如申请专利范围第3项所述的介电质陶瓷组成物 之制造方法,其中具有将所得介电质陶瓷组成物原 料于1000-1400℃烧之步骤。 13.一种介电质陶瓷组成物,其特征为具有依如申请 专利范围第1项所述的介电质陶瓷组成物之制造方 法得之平均结晶粒径1m以下的介电质粒子。 14.一种介电质陶瓷组成物,其特征为具有依如申请 专利范围第2项所述的介电质陶瓷组成物之制造方 法得之平均结晶粒径1m以下的介电质粒子。 15.一种介电质陶瓷组成物,其特征为具有依如申请 专利范围第3项所述的介电质陶瓷组成物之制造方 法得之平均结晶粒径1m以下的介电质粒子。 16.一种层积陶瓷电容器,其特征为具有如申请专利 范围第13项所述的介电质陶瓷组成物所构成之介 电质层与以卑金属为主要成分之内部电极层交替 层积之元件本体。 17.一种层积陶瓷电容器,其特征为具有如申请专利 范围第14项所述的介电质陶瓷组成物所构成之介 电质层与以卑金属为主要成分之内部电极层交替 层积之元件本体。 18.一种层积陶瓷电容器,其特征为具有如申请专利 范围第15项所述的介电质陶瓷组成物所构成之介 电质层与以卑金属为主要成分之内部电极层交替 层积之元件本体。 图式简单说明: 第1图系本发明之一实施形态有关的层积陶瓷电容 器之剖视图, 第2图系实施例1的试样3中第1-4副成分原料经前添 加制造之介电质层(介电质陶瓷组成物)的截面状 态之SEM照片, 第3图系实施例1的试样3中第1-4副成分原料经后添 加制造之介电质层(介电质陶瓷组成物)的截面状 态之SEM照片。 |
