| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1287429C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200410044785.9 | 申请日期 | 2004.05.18 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 佐佐木薰;山本佳司 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，对已在表面上形成集成电路的半导体基板的背面进行机械研磨；第二工序，将所述半导体基板的背面进行主要利用化学反应的蚀刻，第三工序，在所述第二工序后，利用树脂层在所述半导体基板背面上粘接固定支撑基体，以形成层叠体；所述第一工序，将所述半导体基板保留为比缺陷从所述半导体基板的背面到达表面的深度还厚的厚度，所述第二工序，至少要再削薄所述第一工序后的所述半导体基板的背面的凹凸量的厚度。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||