发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明为了提供一种即使在使用大尺寸芯片时仍能做小、且其中能够形成低开态电阻的MOSFET的半导体器件,公开了一种半导体器件,其包括:树脂封装;至少两根主引线,集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分;安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片;以及第一和第二表面引线,每个均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极。所述主引线和所述第一和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。 | ||
申请公布号 | CN1870257A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
申请号 | CN200510107030.3 | 申请日期 | 2005.09.27 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 宇都宫哲;高野好弘 |
分类号 | H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:树脂封装;至少两根主引线,集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分;安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片;以及第一表面引线和第二表面引线,每根均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极,其中所述主引线和所述第一表面引线和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。 | ||
地址 | 日本大阪府 |