| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上方形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜，使用高频波在大于等于1×10<SUP>11</SUP>cm<SUP>2</SUP>并小于等于1×10<SUP>13</SUP>cm<SUP>－3</SUP>的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化或氮化半导体薄膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体薄膜；在第二绝缘膜上方形成栅电极；形成第三绝缘膜以覆盖栅电极；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1870233A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610088637.6 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 矶部敦生;村上智史;高野圭惠;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上方形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜；在大于等于1×1011cm-3并小于等于1×1013cm-3的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化半导体薄膜；形成覆盖半导体薄膜的第二绝缘膜；在半导体薄膜上方形成栅电极，其间插入第二绝缘膜；形成覆盖栅电极的第三绝缘膜；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||