| 发明名称 | 双闸可变临限电压元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种双闸元件具有独立调整的临限电压以改善性能及可靠度，及其形成方法。此方法包括提供一半导体基板，半导体基板的一高临限电压(HVT)部上设有一第一闸极介电层，第一闸极介电层上则设有一第一闸极结构。接着在第一闸极结构的任一侧邻接处形成第一间隙壁，形成半导体基板的一低临限电压(LVT)部。然后在LVT部上形成一第二闸极介电层，并接着在第二闸极介电层上形成一第二闸极结构。通过本发明的双闸元件及其制造方法，使得双闸元件可独立调整临限电压，并具有较佳的性能与可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN1870245A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610081020.1 | 申请日期 | 2006.05.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 赖育志;吴子扬 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成一双闸元件的方法，其特征在于其包括下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板的一高临限电压(HVT)部上设有一第一闸极介电层，该第一闸极介电层上则设有一第一闸极结构；在该第一闸极结构的任一侧形成第一间隙壁；在一低临限电压(LVT)部上形成一第二闸极介电层；以及在该第二闸极介电层上形成一第二闸极结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行六路8号 | ||