发明名称 一种以聚二甲基硅氧烷为基材的芯片简易不可逆键合方法
摘要 本发明提供的是一种以聚二甲基硅氧烷为基材的芯片简易不可逆键合方法。主要步骤包括:芯片的衬底材料为聚二甲基硅氧烷;将聚二甲基硅氧烷浇注于模具中、固化,再将聚二甲基硅氧烷样品新鲜剥离;将新鲜剥离的聚二甲基硅氧烷芯片组件放入氨水中,浸泡;将经过处理后的聚二甲基硅氧烷芯片组件用去离子水反复冲洗;将处理好的两片聚二甲基硅氧烷芯片组件贴合,或者是将处理好的聚二甲基硅氧烷芯片组件贴在清洗干净的玻璃面上,实现聚二甲基硅氧烷与聚二甲基硅氧烷/玻璃的不可逆键合。本发明采用聚二甲基硅氧烷为加工衬底材料,具有较高性价比、键合成本低、加工工艺过程简单、加工成品率高。
申请公布号 CN1286889C 申请公布日期 2006.11.29
申请号 CN200510009804.9 申请日期 2005.03.09
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 刘晓为;王蔚;田丽;宣雷;鲍志勇
分类号 C08J5/12(2006.01);C08L83/04(2006.01) 主分类号 C08J5/12(2006.01)
代理机构 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人 祖玉清
主权项 1、一种以聚二甲基硅氧烷为基材的芯片简易不可逆键合方法,其特征在于:(1)芯片的衬底材料为聚二甲基硅氧烷与聚二甲基硅氧烷,或者是聚二甲基硅氧烷与玻璃;(2)将聚二甲基硅氧烷预聚体与固化剂按比例混合、浇注于模具中、固化,再将聚二甲基硅氧烷样品新鲜剥离,得到聚二甲基硅氧烷组件;(3)将新鲜剥离的聚二甲基硅氧烷芯片组件放入氨水中,浸泡10~30分钟,取出;(4)将经过处理后的聚二甲基硅氧烷芯片组件用去离子水反复冲洗;(5)将处理好的两片聚二甲基硅氧烷芯片组件贴合后,于80~150℃保温1~3小时,实现聚二甲基硅氧烷与聚二甲基硅氧烷的不可逆键合;或者是将处理好的聚二甲基硅氧烷芯片组件贴在清洗干净的玻璃面上,80~150℃保温1~3小时,实现聚二甲基硅氧烷与玻璃的不可逆键合。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号