| 发明名称 | 溅射沉积中硒化银膜化学计量比和形态控制 | ||
| 摘要 | 一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约0.3－约10mTorr的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明的一个方面，优选在约2－约3mTorr的压力下使用RF溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，优选在约4－约5mTorr的压力下使用脉冲DC溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，可以在约10mTorr的压力和小于约250W的溅射功率下溅射沉积含α－和β－硒化银的硒化银膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1871662A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN03820606.4 | 申请日期 | 2003.08.28 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 李久滔;K·哈姆普顿;A·麦克特尔 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C30B23/02(2006.01) | 主分类号 | G11C11/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种沉积硒化银的方法，包括：在溅射沉积室中提供硒化银溅射靶；将溅射气体引入所述室中，其中将所述溅射气体保持在约0.3-约10mTorr的压力下；和在所述靶上进行溅射工艺，从而制造沉积的硒化银膜。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||