| 发明名称 | 具有氘化掩埋层的半导体衬底和器件 | ||
| 摘要 | 一种用于形成SOI衬底和在该SOI衬底上建立的集成电路的方法和结构，在衬底的掩埋绝缘体层中包含氘。该掩埋绝缘体层中的氘作为储备层，以在整个器件制造工艺中供应氘。提供足够量的氘来扩散到掩埋绝缘体层之外，以到达并钝化栅绝缘体中的缺陷和在晶体管体与栅绝缘体之间界面处的缺陷，并且补充从该界面扩散出去的氘。 | ||
| 申请公布号 | CN1870243A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610072641.3 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体晶片的方法，所述半导体晶片具有通过绝缘体隔离层与衬底层相隔开的半导体器件层，所述方法包括以下步骤：提供一个半导体晶片；形成所述绝缘体隔离层；以及在所述隔离层中引入氘。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||