发明名称 |
半导体集成电路装置及使用它的电子卡 |
摘要 |
提供一种半导体集成电路装置,即使集成电路处于没有连接到接地点和电源的状态,也可保护其集成电路不被损坏。该半导体集成电路装置包括:第1导电类型的第1半导体区域(PSUB);具有形成在第1半导体区域(PSUB)中的第2导电类型的源/漏区(D)和在源/漏区间的沟道区上通过栅绝缘膜形成的栅电极(G)的晶体管(N1);电连接到晶体管的漏区(D)的输出端子(PAD);邻接晶体管(N1)的源/漏区(D)且在第1半导体区域(PSUB)中形成的第2导电类型的第2半导体区域(DN),所述第2半导体区域连接到晶体管(N1)的栅电极(G)。 |
申请公布号 |
CN1870268A |
申请公布日期 |
2006.11.29 |
申请号 |
CN200610093582.8 |
申请日期 |
2003.11.28 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
泷泽诚 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01);G06K19/07(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路装置,包括:第1导电类型的半导体区域;形成在所述第1导电类型的半导体区域中,具有连接到输出端子的第2导电类型的源/漏区的第1绝缘栅型场效应晶体管;形成在所述第1导电类型的半导体区域中,具有连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极上的第2导电类型的源/漏区,驱动所述第1绝缘栅型场效应晶体管的第2绝缘栅型场效应晶体管;以及形成在所述第1导电类型的半导体区域中,具有自身的栅极被短路的源/漏区和连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极的源/漏区的第3绝缘栅型场效应晶体管;其特征在于,从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区至所述第3绝缘栅型场效应晶体管的连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极的源/漏区的距离比从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区至所述第2绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区的距离短。 |
地址 |
日本东京都 |