| 发明名称 | 具有高灵敏度的光电型探测器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有高灵敏度的光电型探测器，包括：由硅衬底和在硅衬底上的光响应材料层做成的芯片，所述的光响应层为外延生长在硅衬底上的掺杂钛酸钡薄膜层；第一电极设置在掺杂钛酸钡薄膜上，第二电极设置在与空气接触的硅衬底面上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端，电阻的两端分别和两根电极引线的信号输出端连接。该探测器均为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何外加辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，激光脉冲产生光生伏特脉冲的前沿为～1ns，半宽度～2ns。 | ||
| 申请公布号 | CN1869611A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200510071810.7 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 黄延红;吕惠宾;赵昆;何萌;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢 |
| 分类号 | G01J1/42(2006.01);G01J9/00(2006.01);G01J11/00(2006.01) | 主分类号 | G01J1/42(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.一种具有高灵敏度的光电型探测器，包括：由硅衬底(1)和在硅衬底(1)上的光响应材料层(2)做成的芯片，第一电极(3)、第二电极(4)和引线(6)；其特征在于：还包括一电阻(5)；所述的光响应层(2)为外延生长在硅衬底(1)上的掺杂钛酸钡薄膜层，其中光响应层(2)的厚度为0.8nm～2μm；第一电极(3)设置在光响应层(2)上，第二电极(4)设置在硅衬底(1)面上，两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接，电极引线(6)的另一端是信号输出端，电阻(5)的两端分别和两根电极引线(6)的信号输出端连接。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||