| 发明名称 | 计算机硬盘基片粗糙度的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种计算机硬盘基片粗糙度的控制方法。包括以下步骤，原料为重量％：将粒径15～40nm的SiO<SUB>2</SUB>用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂、边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；用pH调节剂使pH值在9.5～10.5范围内；加入5～15ml的氧化剂；使用上述抛光液在30～40℃温度、30～80rpm转速、0～0.05MPa、1L/min－5L/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。本发明是一种易清洗、低污染的降低存储器硬盘的磁盘基片表面粗糙度的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1864924A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200610014292.X | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 发明人 | 刘玉岭;刘长宇 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01);C09G1/02(2006.01);C09G1/04(2006.01) | 主分类号 | B24B29/02(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人 | 闫俊芬 |
| 主权项 | 1.一种计算机硬盘基片粗糙度的控制方法，其特征是，包括以下步骤，其中原料为重量％：(1)将粒径15～40nm的SiO2用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；(2)边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂；(3)边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；(4)用pH调节剂调整上述溶液使pH值在9.5～10.5范围内；(5)在调整完pH后，加入5～15ml的氧化剂；(6)使用上述抛光液在30～40℃温度、30～80rpm转速、0～0.05MPa、1L/min-5L/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。 | ||
| 地址 | 300384天津市高技术产业园区华苑科馨公寓10号楼505 | ||