非易失性存储器及其制造方法

摘要

一种非易失性存储器及其制造方法，其提供具有存储单元区与外围元件区的基底。然后，于基底上依序形成至少覆盖存储单元区的部分的电子捕获层与至少覆盖电子捕获层的第一栅极层。接着，于外围元件区形成至少栅极氧化层与第二栅极层后，图案化第一栅极层以形成多个存储器栅极。此非易失性存储器及其制造方法能够减少电子捕获层受到损害，并且减少存储单元在CMOS工艺中暴露在热环境中。

主权项

1.一种非易失性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供具有一存储单元区与一外围元件区的一基底；形成一电子捕获层，该电子捕获层至少覆盖该存储单元区的部分；形成一第一栅极层，该第一栅极层至少覆盖该电子捕获层；于该外围元件区形成至少一栅极氧化层与一第二栅极层；以及图案化该第一栅极层以形成多个存储器栅极；其中该第一栅极层与该第二栅极层是在不同时间形成。