通过双向电流写入数据的薄膜磁体存储装置

摘要

选择列的位线(BL)通过根据列选择结果有选择地通路的第1及第2写字列选择门电路的一方(WCSGo，WCSGe)，与对应的电流回路配线RL同端之间电耦合。数据写入电路(51)通过第1及第2数据总线(DBo，DBe)的一方及反转数据总线(/WDB)，把选择列的位线(BL)的另端及电流回路配线(RL)的另端根据写入数据(DIN)的电平设定到电源电压(Vcc)及接地电压(GND)的每一方。

主权项

1.一种薄膜磁体存储装置，具备：多个存储单元，其被按行列状配置，各自存储响应第1及第2数据写入磁场的施加而被写入的数据；多个写字线，其与多个存储单元行分别对应设置，用于在选择行中，使产生上述第1数据写入磁场的第1数据写入电流沿规定方向流通；多个第1位线，其与多个存储单元列分别对应设置；数据写入电路，其用于在选择列中，在与对应的第1位线中的选择存储单元对应的部分中，使产生上述第2数据写入磁场的第2数据写入电流沿与写入数据对应的方向流通，其中上述数据写入电路包含多个位线驱动部，其在上述多个存储单元列的各列中，与对应的第1位线上的、相当于一端侧的第1节点、相当于另端侧的第2节点及至少1个中间节点分别对应设置，在上述选择列中，上述多个位线驱动部中的位于上述选择存储单元对应的上述部分的两端的2个，使上述第1位线上的对应的节点设定到第1及第2电压的上述写入数据对应的每一方。