| 发明名称 | 使用梨晶生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法和由此形成的功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 形成高电压碳化硅功率器件的方法利用从高纯度碳化硅晶片材料得到的高纯度碳化硅漂移层，而不是非常昂贵的外延生长的碳化硅层。该方法包括使用具有大于约100μm厚度的漂移层形成能支持大于10kV闭锁电压的少数载流子和多数载流子功率器件。该漂移层形成为其中具有少于约2×10<SUP>15</SUP>cm<SUP>－3</SUP>的净n型搀杂浓度的梨晶生长的碳化硅漂移层。这些n型搀杂浓度能使用中子嬗变搀杂(NTD)技术来取得。 | ||
| 申请公布号 | CN1868066A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480030561.0 | 申请日期 | 2004.09.29 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | J·J·苏马克里斯;H·M·霍布古德;M·J·佩斯利;J·R·詹尼;C·H·小卡特;V·F·茨韦特科夫 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01);H01L21/04(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/808(2006.01);H01L29/868(2006.01) | 主分类号 | H01L29/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种形成具有10kV或更高阻塞额定电压的碳化硅MOSFET器件的方法，包含以下步骤：形成梨晶生长的其中具有少于约2×1015cm-3的净n型搀杂浓度的碳化硅漂移层；在所述碳化硅漂移层上形成p型碳化硅基极区；形成用所述p型碳化硅基极区限定p-n整流结的n型碳化硅源极区；以及在所述p型碳化硅基极区形成栅极电极。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||