| 发明名称 | 包含延长纳米级元件的器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 揭示了包含延长纳米级元件的器件的一种制造方法以及这种器件。此器件包含外延生长层，其中置入例如碳纳米管的延长纳米级元件器件。提供支持外延层的外延生长的基片，将延长纳米级元件置于该基片上并且通过外延层外延地快速生长。该延长纳米级元件由此至少部分地由外延生长层封装。在该层中制备一个或者多个部件，该一个或者多个部件通过平版印刷的方法制备。因此可以提供以碳纳米管作为活性元件的器件。该方法适用于在传统半导体器件和纳米器件之间混合的混合装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1868030A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480029859.X | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | 哥本哈根大学 | 发明人 | 乔纳斯·拉尔夫·豪普特曼;阿尼·珍森;波尔·埃里克·格雷格斯·汉森·林德罗夫;杰斯波·尼杰拉德;贾纳兹·萨多斯基 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种使用至少一个外延层快速生长延长纳米级元件的方法，该方法包括步骤：(a)提供基片，其中此基片或者至少基片的顶层具有支持外延层的外延生长的表面；(b)将延长纳米级元件置于该基片上；(c)用外延层外延地快速生长该基片和延长纳米级元件，并且由此至少部分地将该延长纳米级元件封装到外延生长层中；以及，(d)在该层中制备一个或者多个部件，该一个或者多个部件通过平版印刷的方式制备。 | ||
| 地址 | 丹麦哥本哈根 | ||