| 主权项 |
1.一种制备一基于半导体之组件之方法,该组件包括一诸如一支撑层(10)之第一层及一诸如一薄层(22)之第二层,可应用于电子、光电或光学,特征在于该方法包括下列步骤:仅于两层之一上形成一介面层(26),使其上形成该介面层之该层与另一暴露层彼此接触,所选择之该介面层(26)与该暴露层中之材料有关,以形成一键结介面,其在暴露于一预定范围内之温度后,在施加应力作用下可分离。2.如申请专利范围第1项之方法,特征在于至少该暴露层系由碳化矽制成,较佳为单晶碳化矽。3.如申请专利范围第2项之方法,特征在于该介面层(26)系由一选自包含氧化矽及氮化矽之群中之材料制成。4.如申请专利范围第1至3项之任一项之方法,特征在于该等层之一形成一起始层,俾以磊晶成长形成一基板;及另一层形成对该起始层之暂时支撑层。5.如申请专利范围第1项之方法,特征在于该应力系机械应力。6.一种制备一基于半导体之组件之方法,该组件包括一支撑及一薄层,可应用于电子、光电或光学,该组件系设计以承受在一给定范围内之高温,特征在于该方法包括一于该支撑及该薄层间制作一可分离介面之步骤,其实施系藉由在彼此化学反应之能力足够小之两介面材料间制作接触及分子键结,使得在该两介面材料接触后,该组件暴露于该高温下时导致够弱之键结,使该两介面材料在该暴露后之应力施加下可分离。7.如申请专利范围第6项之方法,特征在于该等介面材料彼此间之弱化学反应能力,系该等介面材料之弱本质交互化学亲合力所致。8.如申请专利范围第6或7项之一之方法,特征在于该等介面材料彼此间之弱化学反应能力,系至少该两介面材料之一之弱蔓延力所致。9.如申请专利范围第6项之方法,特征在于该两介面材料相异。10.如申请专利范围第9项之方法,特征在于该两相异介面材料系分别由一在该支撑上添加之介面层之材料及直接在该薄层中之材料所组成。11.如申请专利范围第9项之方法,特征在于该两相异介面材料系由一在该薄层上添加之介面层之材料及直接为该支撑材料所组成。12.如申请专利范围第10或11项之一之方法,特征在于制成所添加介面层之材料系选自包括一半传导氧化物及一半传导氮化物之群,而相异材料系一半传导碳化物。13.如申请专利范围第12项之方法,特征在于该半传导氮化物系单晶。14.如申请专利范围第6项之方法,特征在于该两介面材料系半传导氮化物。15.如申请专利范围第6项之方法,特征在于该两介面材料之一系一半传导氮化物,而另一则为一半传导氧化物。16.如申请专利范围第12项之方法,特征在于该半导体系由矽制成。17.如申请专利范围第14或15项之一之方法,特征在于该半导体系由矽制成。18.如申请专利范围第6项之方法,特征在于至少该等介面材料之一具一本质崎岖表面。19.如申请专利范围第18项之方法,特征在于该本质崎岖介面材料系由该支撑材料本身形成。20.如申请专利范围第18项之方法,特征在于该本质崎岖介面材料系由该薄层之材料本身形成。21.如申请专利范围第18项之方法,特征在于该本质崎岖介面材料系由在一在一较不崎岖表面上沉积之介面材料形成。22.如申请专利范围第6项之方法,特征在于该组件包括:一碳化矽基板;一由碳化矽制成之可用层;一介面层,系由选自包括氧化矽及氮化矽之群中之材料制成,添加至面向该薄层之该基板之面上或面向该基板之该薄层之面上。23.一种制备一基板之方法,该基板系供制作诸如发光二极体(LED)之光电部件用,尤其是蓝光LED,特征在于该方法包含实施申请专利范围第6至22项之任一项之方法,俾获得一组件,该组件包括一在一支撑上之薄层,于该组件之该薄层之自由表面上以磊晶方式制造至少一基板层,以及将其上形成磊晶层之该薄层自该组件之该介面处与该支撑分离。24.如申请专利范围第23项之方法,特征在于该磊晶层系自以半传导金属氮化物为基之半传导材料形成。25.一种制备一基于半导体之组件之方法,该组件包括一支撑及一薄层,供电子、光电及光学应用,该组件系设计以抵御在一给定范围内之高温,特征在于该方法包括一于该支撑及该薄层间制作一可分离介面之步骤,其实施系藉由在两概略平坦表面间制作接触及分子键结,至少该等表面之一系一单晶材料之表面,而一主结晶平面与该单晶材料表面之平面形成些微倾斜,故该单晶材料表面具一崎岖度,使得在该两介面材料接触后,将该组件暴露于该高温会产生一够弱键结,俾该两介面材料在该暴露后得以藉由应力之施加而分离。26.如申请专利范围第25项之方法,特征在于该些微倾斜介于3与8间。图式简单说明:图1a-1e阐释依本发明之第一实施例之方法中之步骤;及图2a-2e阐释依本发明之第二实施例之方法中之步骤。 |
