| 主权项 |
1.一种氢氰化方法,该方法包括:将乙烯不饱和烯烃化合物与HCN在触媒组合物存在下接触,该触媒组合物包括第VIII属金属和膦酸酯配位体,该配位体具有选自由以下组成群之结构:其中X基系独立选自由经取代或未经取代之有机芳族基组成之群,当X系经取代,X上之取代基系独立选自由C1至C12烷基、全氟烷基、环烷基、烷氧基、缩醛、缩酮、烷基芳基、芳基、杂芳基、氰基及氢组成之群;其中X基系独立为未架桥有机芳族,如式I所述,且Q为经取代或未经取代之二价芳族或非芳族烃基,当Q系经取代,Q上之取代基系独立选自由C1至C12烷基、环烷基、烷氧基、烷基芳基、芳基、杂芳基及氰基组成之群;且其中X和Q系如述于式II,及L为连结基,其系选自由-CR1R2-、-O-、-S-及-CO-组成之群(其中R1及R2系独立选自由氢、C1-12烷基及芳基组成之群),及m和m'独立为0或1。2.如申请专利范围第1项之氢氰化方法,其中X系选自由经取代或未经取代之苯基、经取代或未经取代之基及其组合物组成之群。3.如申请专利范围第1项之氢氰化方法,其中X系选自由以下组成之群:4.如申请专利范围第1项之氢氰化方法,其中该乙烯不饱和化合物为共轭C4至C20二烯。5.如申请专利范围第1项之方法,其中乙烯不饱和化合物为丁二烯。6.如申请专利范围第1项之方法,其中反应物在液相中。7.如申请专利范围第1项之方法,其中第VIII属金属系选自由镍、钴和钯组成之群。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第VIII属金属为零价镍。9.如申请专利范围第1项之方法,其中不饱和化合物为正戊烯。10.一种基于结构I、II或III配位体之触媒于烯烃氢氰化和/或位置异构化或双键异构化上之用途,其中X基系独立选自由经取代或未经取代之有机芳族基组成之群,当X系经取代,X上之取代基系独立选自由C1至C12烷基、全氟烷基、环烷基、烷氧基、缩醛、缩酮、烷基芳基、芳基、杂芳基、氰基及氢组成之群;其中X基系独立为未架桥有机芳族,如式I所述,且Q为经取代或未经取代之二价芳族或非芳族烃基,当Q系经取代,Q上之取代基系独立选自由C1至C12烷基、环烷基、烷氧基、烷基芳基、芳基、杂芳基及氰基组成之群;且其中X和Q系如述于式II,及L为连结基,其系选自由-CRIR2-、-O-、-S-及-CO-组成之群(其中R1及R2系独立选自由氢、C1-12烷基及芳基组成之群),及m和m'独立为0或1。 |
