积体电路记忆体及其操作方法

摘要

一种电荷捕获记忆体元件，其采用场诱发(fieldinduced)之反转层以取代源极和汲极之掺质。电荷捕获记忆体元件包含多个记忆胞，其适用于储存两位元，其中一位元在电荷捕获结构的左侧，而另一位元在电荷捕获结构的右侧。使用负闸极电压FN穿隧将可诱发一正阀限电压擦除状态，以在一正电压下建立一电荷平衡条件。本发明亦提供了低电流、源极侧及热电子注入的编程方法。