半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种能减小接触孔未对准时所产生的漏电的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有多个不同的互相重叠的部分的三个导电层。这些导电层被绝缘层分开，并通过形成在重叠部分之间的绝缘层内的接触孔连接。因此，当形成接触孔以将导电层互相电连接时，由未对准引起的漏电可以被避免。

主权项

1、一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的第一导电层；形成在第一导电层上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上、并具有与第一导电层重叠的第一重叠部分的第二导电层；形成在第二导电层上的第三绝缘层；形成在第三绝缘层上、并在不同于第一重叠部分位置的位置处具有与第二导电层重叠的第二重叠部分的第三导电层；和形成在第一重叠部分和第二重叠部分的至少一个中、并将两个重叠的导电层互相电连接的接触孔。