半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一杂质扩散层和第二杂质扩散层、第一层间绝缘膜、第一接触插塞、第二层间绝缘膜、第一开口部以及由形成在第一开口部的壁部、底部与第一接触插塞的上端电连接的第一金属膜(下电极)、铁电体膜(电容绝缘膜)及第二金属膜(上电极)构成的电容元件。第二杂质扩散层和上电极，通过第二接触插塞和形成在第二开口部的壁部、底部的第二金属膜电连接。因此，在具有立体层叠型结构的介电存储元件中，能实现把上电极的电位引出到扩散层的结构。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一导电层及第二导电层，形成在所述半导体衬底、所述第一导电层及所述第二导电层上的第一绝缘膜，穿过所述第一绝缘膜且下端与所述第一导电层连接的第一插塞，形成在所述第一绝缘膜上具有形成在所述第一插塞上方的第一开口部的第二绝缘膜，以及电容元件，该电容元件由形成在所述第一开口部的壁部、底部与所述第一插塞上端电连接，由第一金属膜构成的下电极、形成在所述下电极上由铁电体膜构成的电容绝缘膜以及形成在所述电容绝缘膜上由第二金属膜构成的上电极构成；在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的内部所述第二导电层和所述上电极互相电连接。