| 发明名称 | 主动式互补金氧半导体像素装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种主动式互补金氧半导体像素装置，包括：一基底、一浮接栅极层及一控制栅极层。其中，基底具有一井区以及位于井区中的第一与第二掺杂区，井区、第一及第二掺杂区均露出基底表面且第一及第二掺杂区相互分离，井区具有一第一导电类型而第一及第二掺杂区具有一第二导电类型。浮接栅极层设于井区与第二掺杂区在基底表面的交界处上方，并且与井区及第二掺杂区绝缘而与第一掺杂区电性接触。控制栅极层设于浮接栅极层上方并且与浮接栅极层绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN1285128C | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN02103515.6 | 申请日期 | 2002.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 季明华 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种主动式互补金氧半导体像素装置，其特征在于包括：一基底，具有一井区以及位于该井区中的一第一与第二掺杂区，该井区、第一及第二掺杂区均露出该基底表面且第一及第二掺杂区相互分离，其中该井区具有一第一导电类型而该第一及第二掺杂区具有一第二导电类型；一浮接栅极层，设于该井区与第二掺杂区在该基底表面的交界处上方，并且与该井区及第二掺杂区绝缘而与该第一掺杂区电性接触；以及一控制栅极层，设于该浮接栅极层上方并且与该浮接栅极层绝缘。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||