| 发明名称 | 磁阻随机存取存储器中的错误检测和修正方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种方法和装置，用于减少磁阻随机存取存储器(MRAM)中的数据错误。根据所公开的方法，将将数据位和相关联的错误修正码(ECC)校验位存储到存储区域中。随后，读出数据位和ECC校验位并且校验和修正任何错误。然后基于计数开始数据刷新，随后通过存取所存储的数据位和相关联的ECC校验位，并且最终通过校验、修正数据位和ECC校验位和将其重新存储到存储区域，从而刷新存储在存储区域中的数据位和相关联的ECC校验位。 | ||
| 申请公布号 | CN1864232A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200480023245.0 | 申请日期 | 2004.06.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 | 发明人 | J·德布罗泽;H·赫尼施密德;R·勒伊施纳;G·米勒 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.在磁阻随机存取存储器(MRAM)中，一种减少数据错误的方法，包括步骤：将数据位和相关联的错误修正码(ECC)校验位存储到存储区域中；读出所述数据位和所述相关联的ECC校验位；和使用所述相关联的ECC校验位来校验和修正所述数据位；和通过存取所述存储的数据位和所述相关联的ECC校验位、使用所述相关联的ECC校验位校验和修正所述数据位、并且将所述数据位和所述ECC校验位重新存储到所述存储区域，从而刷新存储在所述存储区域中的数据位和相关联的ECC校验位，其中基于计数开始所述刷新。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||