| 发明名称 | 瓶型渠沟的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种瓶型渠沟(bottle-shaped trench)的形成方法。首先，提供具有一渠沟的一基底，其中渠沟具有一上部与一下部；然后，形成一氧化层于位在下部的渠沟的周围壁上；然后，以氧化层为罩幕，对渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的渠沟的侧壁上；然后，去除氧化层；接着，以氮化膜为罩幕，对渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。 | ||
| 申请公布号 | CN1285118C | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN03119112.6 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑄智;黄镇洲;张明成;廖显皓;陈锰宏 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种瓶型渠沟的形成方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一渠沟于该基底中，其中该渠沟具有一上部与一下部；顺应性地形成一氧化层于位在下部的该渠沟的周围壁上；以该氧化层为掩模，对该渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的该渠沟的侧壁上；去除该氧化层；以及以该氮化膜为掩模，对该渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||