| 主权项 |
1.一种处理器之内部记忆体存取方法,其可供一处理器之处理单元及一记忆体存取控制器同时存取一内部记忆体,其中该内部记忆体包含至少二内部记忆单元,该方法包括:提供一交换机制,使该处理单元与该直接记忆体存取控制器透过该交换机制耦合至该内部记忆体;以及利用该交换机制之运作,使该直接记忆体存取控制器与该处理单元可同时存取不同该内部记忆单元。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该内部记忆体系Scratchpad Memory (SPM)或Tightly Coupled Memory (TCM)。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该处理器系嵌入式处理器。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二内部记忆单元所对应之记忆体位址相同。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该交换机制系一交连开关(Crossbar Switch Interconnection),且该二内部记忆单元分别为一第一内部记忆单元及一第二内部记忆单元。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该交连开关可于一第一状态及一第二状态间进行切换,当该交连开关处于该第一状态时,该直接记忆体存取控制器存取该第一内部记忆单元,此时该处理单元存取该第二内部记忆单元,而当该交连开关处于该第二状态时,该直接记忆体存取控制器存取该第二内部记忆单元,此时该处理单元存取该第一内部记忆单元。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中利用该交换机制之运作的步骤进一步包括:利用该交连开关于一第一状态及一第二状态间进行切换;当该交连开关运作于该第一状态时,该直接记忆体存取控制器于该第一内部记忆单元及一外部记忆体间进行资料搬移,此时该处理单元存取该第二内部记忆单元之资料;以及当该交连开关运作于该第二状态时,该直接记忆体存取控制器于该第二内部记忆单元及该外部记忆体间进行资料搬移,此时该处理单元存取该第一内部记忆单元之资料。8.一种处理器之内部记忆体存取装置,该装置包含:一内部记忆体,其包含:至少一第一内部记忆单元;至少一第二内部记忆单元;一切换电路,其分别耦合至该第一及第二内部记忆单元;一处理单元,其经由该切换电路分别耦合至该第一及第二内部记忆单元;以及一直接记忆体存取控制器,其经由该切换电路分别耦合至该第一及第二内部记忆单元,当该直接记忆体存取控制器存取该第一内部记忆单元时,该处理单元存取该第二内部记忆单元,当该直接记忆体存取控制器存取该第二内部记忆单元,该处理单元存取该第一内部记忆单元。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该切换电路包含一交连开关,该交连开关可于一第一状态及一第二状态间进行切换,当该交连开关处于该第一状态时,该直接记忆体存取控制器存取该第一内部记忆单元,当该交连开关处于该第二状态时,该直接记忆体存取控制器存取该第二内部记忆单元。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该第一内部记忆单元、第二内部记忆单元、该切换电路及该处理单元系整合于一处理器中。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该处理器系一嵌入式处理器。12.如申请专利范围第8项所述之装置,其进一步包括至少一外部记忆体,其耦合至该直接记忆体存取控制器,该直接记忆体存取控制器可在该外部记忆体及该第一或第二内部记忆单元间进行资料搬移。13.如申请专利范围第11项所述之装置,当该直接记忆体存取控制器于该第一内部记忆单元及该外部记忆体间进行资料搬移时,该处理单元存取该第二内部记忆单元之资料,而当该直接记忆体存取控制器于该第二内部记忆单元及该外部记忆体间进行资料搬移时,该处理单元存取该第一内部记忆单元之资料。14.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该第一内部记忆单元所对应之记忆体位址与该第二内部记忆单元所对应之记忆体位址相同。15.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该内部记忆体系Scratchpad Memory (SPM)或Tightly Coupled Memory (TCM)。图式简单说明:第1图为习知透过快取记忆体进行资料存取之系统架构图;第2图为习知透过快取记忆体与内部记忆体进行资料存取之系统架构图;第3图为本发明透过直接记忆体存取控制器进行资料存取之系统架构图;第4图为本发明内部记忆体之一实施例示意图;第5图为本发明利用交连开关进行资料存取之示意图;及第6图为本发明与习知技术之资料存取效率比较示意图。 |
