Halbleiterbauelement mit einem Gatedielektrikum mit unterschiedlichen Blockiereigenschaften

摘要

Durch lokales Anpassen des Blockiervermögens von Gateisolationsschichten für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren kann die Zuverlässigkeit und die Einsetzspannungsstabilität des p-Kanaltranistors verbessert werden, wobei dennoch die Elektronenbeweglichkeit des n-Kanaltranistors auf einem hohen Niveau gehalten werden kann. Dies kann durch Einbauen eines unterschiedlichen Anteils eines dielektrischen Dotierstoffes in entsprechende Gateisolationsschichtbereiche bewerkstelligt werden.