半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。设有位线接点(31)和延伸于层间绝缘膜(30)上的位线(31)。在存储单元晶体管，源极扩散层(18)为两个绝缘膜侧壁(25a、25b)所覆盖，硅化物层未形成于源极扩散层(18)上。此外，设有贯通层间绝缘膜(30)而连接屏蔽线(33)和板形电极(16b)的板形电极接点(31)，此屏蔽线(33)设于和位线(32)相同布线层。

主权项

1.一种半导体器件，在半导体层上设置具有存储单元晶体管和电容器的DRAM存储单元而构成，其特征为：包括：层间绝缘膜，其覆盖上述存储单元晶体管及上述存储单元电容器；多条位线，其形成于上述层间绝缘膜上；屏蔽线，其在上述层间绝缘膜上，介于上述多条位线彼此之间，由和上述位线共同的导体膜形成；及连接构件，其通过贯通上述层间绝缘膜而将上述屏蔽线和板形电极互相连接，上述存储单元晶体管具有：栅极绝缘膜，其设于上述半导体层上；栅极，其设于上述栅极绝缘膜上；源极扩散层和漏极扩散层，设于上述半导体层内的上述栅极两侧；以及第一侧壁，其覆盖上述栅极侧面，上述电容器具有：板形电极，其包含填充通过挖入上述半导体层所形成的电容器用沟渠的下部以及与上述栅极对向的上部；电容绝缘膜，其沿着上述电容器用沟渠壁面而形成于上述板形电极下方，并介于上述板形电极下部和上述半导体层之间；及第二侧壁，其由覆盖上述板形电极上部侧面的绝缘膜构成，用上述第一及第二侧壁覆盖上述整个源极扩散层。